Brian Trafas表示,行動裝置對於低功耗及先進半導體製程的需求十分強勁,包括台積電在內的半導體大廠,已開始跨入20奈米以下先進製程,且隨著半導體製造技術由2D轉進3D世代後,3D記憶體或鰭式場效電晶體(FinFET)、多重曝影(double patterning)微影等技術將是未來主流,在製程持續微縮的此刻,晶圓缺陷檢測的難度更高,因此需要更有效率的設備支援。
Brian Trafas指出,晶圓缺陷檢測可分為光學及電子束兩大類,其中光學檢測還包括了寬頻電漿(Broadband Plasma)及雷射散射(Laser Scatter)等製程。雖然電子束檢測技術近期受到業界及市場矚目,但要在產能龐大且生產很多不同產品的晶圓廠中,只單純使用電子束檢測設備,將因檢測速度不夠快,進而影響到晶圓廠的產出(through put)速度。科磊台灣分公司總經理張水榮表示,電子束檢測速度不夠快,無法支援晶圓廠投片量產速度,所以光學檢測設備仍是未來幾年的主流。(新聞來源:工商時報─記者涂志豪/新竹報導)
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